Лабораторная работа № 2 Вариант 13- опытное определение параметров полупроводниковых приборов № 200364-2

Дисциплина: «Электротехника и электроника»
Лабораторная работа № 2 Вариант 13- опытное определение параметров полупроводниковых приборов № 200364-2
Цена 350 р.

Цель работы: опытное измерение вольт-амперных характеристик (ВАХ) полупроводниковых приборов и определение их основных параметров. Исследование полупроводниковых приборов.
№ Кремниевый диод Биполярный транзистор Полевой транзистор
13 MR500 (20мА) 2N3506 (200 мА) 2N3822 (12мА, 10 В)

Кремниевый диод.
Задан диод MR500, предел по току указан -20 мА. Диод выбирается из библиотеки пакета. На рис. 1, показана собранная на рабочем столе схема для снятия прямой ветви ВАХ диода.

Установки анализа показаны на рис.2
Прямая ветвь ВАХ изучаемого диода с нанесенными координатными метками показана на рис. 3.

На рис. 4 показана схема для снятия обратной ветви ВАХ диода, на рис.5 необходимые установки в окне DC Analysis Limits. Обратная ветвь ВАХ диода показана на рис. 6.
Изучение биполярного транзистора.
Задан биполярный транзистор 2N3506, предел по току указан — 200 мА. На рис. 7. показана собранная на рабочем столе схема.

Рисунок 7
Окно установок DC Analysis Limits для снятия выходных ВАХ транзистора показано на рис. 8
Изучение полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
2N3822 (12мА, 10 В)
Схема измерения для снятия выходных ВАХ полевого транзистора 2N3822 показаны на рис. 16, окно установок DC Analysis Limits на рис. 17, выходные ВАХ с нанесенными масштабными и текстовыми метками, необходимыми для численного расчета параметров приведены на рис. 18.